Sampai saat ini ada tiga jenis DDR RAM yaitu DDR (atau biasa juga disebut DDR1), DDR2 dan DDR3. Lalu apa perbedaan antara DDR, DDR2 dan DDR3?

Mari kita lihat perbedaan ketiga DDR RAM tersebut.

DDR

DDR (double data rate) RAM generasi 1 merupakan memori yang mulai menggunakan teknologi double clock cycle. Ini berbeda dengan SDR (single data rate) RAM yang hanya mampu melakukan single clock cycle. Sehingga DDR RAM mampu mentransfer data dua kali lebih cepat.

DDR RAM ini ada beberapa jenis seperti DDR-200 (memiliki memory clock 100 MHz), DDR-266 (memiliki memory clock 133 MHz), DDR-333 (memiliki memory clock 166 MHz) dan DDR-400 (memiliki memory clock 200 MHz). Frekuensi transfer yang bisa dihasilkan DDR1 hanya antara 200-400 MHz.

DDR RAM versi 1 ini dikembangkan sejak 1996 sampai 2000.

DDR2

DDR2 RAM memiliki clock cycle dua kali lebih banyak. Artinya, kemampuanya dua kali lebih cepat dibandingkan DDR1. Memory clock-nya terentang dari 100 MHz sampai 266 MHz. Jenis DDR2 memiliki nama standar DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800 dan DDR2-1066. Dan frekuensi transfer antara 400-1966 MHz.

DDR3

Sementara DDR3 RAM, dari segi memory clock-nya tak jauh beda dengan DDR2 yaitu dari 100 MHz sampai 266 MHz. Bedanya terletak frekuensi transfernya yang lebih tinggi yaitu mencapai 2133 MHz (DDR2 maksimal hanya sampai 1066 MHz) dan voltasenya yang lebih hemat yaitu hanya 1.5v (DDR2 memerlukan voltase 1.8v dan DDR 1 dengan 2.5/2.6v).

Nah, bagaimana? Sekarang jadi lebih jelas kan perbedaaan antara DDR1, DDR2, dan DDR3?

Karena teknologi komputer terus berkembang, bisa dipastikan akan ada banyak jenis memory lain yang akan ditemukan di masa depan. Bisa jadi generasi tersebut dinamakan DDR4, DDR5 atau mungkin dengan nama yang lain. Hanya tinggal menunggu saja kapan memory-memory tersebut diimplementasikan pada desktop PC, Notebook, Tablet dan perangkat teknologi yang lain.

Berikut saya tampilkan tabel Perkembangan Teknologi Memory secara Performance dari Generasi DDR1 – DDR3

DDR4

Dalam Komputer, DDR4 SDRAM, singkatan untuk tipe Double Date Rate Random Access Memory, adalah jenis dynamic random-access memory (DRAM) dengan Interface bandwidth tinggi diharapkan akan dirilis ke pasar pada tahun 2012 .  ini adalah salah satu dari beberapa varian dari DRAM yang telah digunakan sejak awal 1970-an [4] dan tidak kompatibel dengan semua jenis sebelumnya random access memory (RAM) karena tegangan sinyal yang berbeda, antarmuka fisik dan faktor-faktor lainnya.

Memori DDR4 ini diklaim sebagai memory generasi Terbaru yang memiliki Tingkat kecepatan transfer rate 2133 – 4266 MT/ second dimana yang kita ketahui sekarang masih tekhnologi DDR3 dan itu dengan kecepatan 800MT/second.

Bagi anda sekalian pengguna motherboard minimal dengan chipset intel G41 dan ram DDR3 pasti anda sudah merasakan kecepatannya ,itu dikisaran 800Mt/second .,lalu bagaimana dengan DDR 4 yang akan datang yang sejatinya bisa 4x lipat dari DDR3 ,ditambah lagi dengan VOLTAGE yang sangat rendah 1.05- 1.2 V untuk DDR4 dan 1.2 – 1.5 V untuk ddr3.

the great benefit

Memory jenis DDR3 yang telah beradar cukup luas dan umum digunakan komputer PC, segera digantikan oleh jenis yang lebih baru, yaitu memory DDR4. Micron Technology, perusahaan yang bergerak di bidang semi konduktor hari Senin menyatakan, memory DDR4 akan menjadi penerus DRAM DDR3 dan segera digunakan diberbagai perangkat tahun depan. Perusahaan ini juga telah mulai mengirimkan sampel jenis memory DDR mendatang.

Memory baru jenis DDR4 lebih hemat listrik dan lebih cepat dari memory sebelumnya jenis DDR3, yang ditemukan di sebagian besar komputer baru saat ini. Memory DDR4 juga akan mengalirkan data dengan kecepatan lebih tinggi pada sistem komputer.

Memory DDR pertama kali dibuat untuk digunakan pada server dan dekstop, hingga kemudian digunakan pula untuk laptop. Micron menyatakan, mereka berharap memory DDR4 juga akan mencapai perangkat portable seperti tablet, yang saat ini menggunakan jenis memory low-power dari DDR3 dan DDR2.

Daya yang dibutuhkan oleh DDR4 dipastikan lebih rendah dari memory sebelumnya, yaitu mulai dari 1.2 volt, sementara DDR3 mencapai 1.5 volt. DRAM ini juga akan mentransfer data pada kecepatan tinggi, dengan bus speed mulai dari 2133MHz. Selain itu memory baru dirancang agar dapat memproses read, write dan refresh lebih efisien, sehingga dapat membantu meningkatkan performa aplikasi serta dapat memperoleh informasi dari storage dengan lebih cepat.

Micron dalam suatu pernyataan menyatakan, JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) organisasi yang menetapkan standar memory diharapkan sudah memutuskan spesifikasi final memory DDR4 pada pertengahan tahun. Sehingga, perusahaan diharapkan sudah bisa memulai produksi masal memory DDR4 pada akhir tahun.

Bagian pertama dari DRAM DDR4 dikembangkan Micron bekerja sama dengan produsen memory Nanya Technology dan nantinya, akan diluncurkan sejumlah unit DDR4 dengan kecepatan transfer maksimum sesuai standar JEDEC mencapai 3.2 gigatransfer perdetik.

Menurut Beberapa sumber Samsung sebagai vendor yang akan merilis pertama kali memory teknologi terbaru ini berencana akan merilisnya pada tahun 2013.Tapi tidak menutup kemungkinan akan diluncurkan dalam waktu dekat.

Sumber : http://juliawandwiprasetyo.wordpress.com/2012/10/15/teknologi-terbaru-memory-ddr4/